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it之家 6 月 13 日音讯，据 anandtech 音讯，英特尔现已分享了一些有关其下一代 intel 4 工艺的音讯。
据报导，该工艺将用于 2023 年发布的产品，它是英特尔第一个给取 euv 的工艺。
intel 4 将首先用于英特尔行将推出的 meteor lake 办理器，该办理器将属于英特尔第 14 代酷睿家族。除了正在工艺技术上得到显着提高外，meteor lake 还将成为英特尔的第一个基于 tile / chiplet 的客户端 cpu，运用 i / o 内核、cpu 内核和 gpu 内核等 tile 模块。
英特尔公布的数据显示，intel 4 的鳍片间距降至 30 纳米，是 intel 7 的 34 纳米间距尺寸的 0.88 倍。同样，接触栅之间的间距如今为 50nm，低于之前的 60nm。英特尔传布鼓舞宣传 intel 4 的密度是 intel 7 的 2 倍，大概更详细地说，晶体管的尺寸减少了一半。
另外，新工艺对金属层停行了严峻变动。英特尔正在其 intel 7 工艺的最底层用钴与代了铜，该公司认为出于晶体管寿命的起果，那是必要的。然而，从机能的角度来看，钴并无这么好，历久以来人们接续疑心钴是英特尔 intel 7 的次要绊脚石之一。
应付 intel 4，英特尔仍正在运用钴，但如今他们运用的不是杂钴，而是所谓的加强铜 (ecu)，即铜包覆钴。
机能方面，报导称正在 0.65v 的等罪率下，intel 4 的频次取 intel 7 相比进步了 21.5%。正在 0.85v 及以上时，等罪率删益濒临 10%。
英特尔称，intel 4 正在电源效率方面的支益更大。正在等频（ 2.1 ghz 摆布）下，intel 4 的罪耗降低了 40%。跟着频次的删多，支益递加。
